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        全碳化硅功率模塊

        與傳統硅基IGBT相比,全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率,開關損耗可降低70%以上??蓱糜谲壍澜煌孀儬恳?、新能源汽車電機控制器、光伏逆變器、ups電源、智能電網等。
        型號 電壓(V) 電流(A) 導通電阻(mΩ) 閾值電壓(V) 拓撲結構 封裝形式 規格書下載
        CHF300R12KC3 1200V 300A 4.7mΩ 2.8 半橋 K
        CHF300R12LC3 1200V 300A 4.7mΩ 2.8 半橋 L
        CHF600R12LC3 1200V 600A 2.2mΩ 2.5 半橋 L

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