<ruby id="xvqyo"><address id="xvqyo"></address></ruby>

<dd id="xvqyo"><pre id="xvqyo"></pre></dd>

      1. <button id="xvqyo"></button><th id="xvqyo"><track id="xvqyo"></track></th>

        聯系我們:010-56993369

        首頁 > 產品與服務 > 碳化硅功率器件 >

        碳化硅單晶材料

        • 碳化硅單晶片

          產品規格:4-6英寸

          產品類型:導電單晶片

          產品優勢:禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩定性好、電子飽和漂移速度高等優點。

          應用領域:主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。

          下載規格書

        • 碳化硅外延片

          產品規格:4-6英寸

          產品類型:同質外延片

          產品特點:禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、高熱導率、高電子飽和和遷移速度等。

          應用領域:主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。

          下載規格書

        碳化硅功率器件

        • 碳化硅肖特基二極管

          額定電壓:650-1200V   

          額定電流:2-60A

          產品特點:碳化硅肖特基二極管相比普通的PN結勢壘二極管具有導通壓降低,開關速度快、0反向恢復、耐高溫的優點。

          應用領域:碳化硅肖特基二極管可應用于光伏逆變器、高頻電源、高性能服務器電源、充電樁充電模塊等領域。

          下載規格書

        • 碳化硅場效應晶體管

          額定電壓:650-1200V   

          額定電流:30-100A

          產品特點:碳化硅場效應晶體管(SiC MOSFET)具有更低的導通電阻,更高的工作頻率,開關損耗大幅降低,SiC MOSFET與Si IGBT器件相比可降低開關損耗70%,高溫特性好、穩定性高。

          應用領域:SiC MOSFET可應用于開關電源、光伏逆變器、充電樁充電模塊、新能源汽車OBC、DC/DC等。

          下載規格書

        碳化硅功率模塊

        • 全碳化硅功率模塊

          額定電壓:650-1200V   

          額定電流:100-600A

          產品特點:全碳化硅功率模塊與傳統硅基IGBT相比,全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率,開關損耗可降低70%以上。

          應用領域:全碳化硅功率模塊可應用于軌道交通逆變牽引、新能源汽車電機控制器、光伏逆變器、ups電源、智能電網等。

          下載規格書

        • 混合碳化硅功率模塊

          額定電壓:1200V

          額定電流:300A、450A、600A

          產品特點:混合碳化硅功率模塊與傳統硅模塊相比,碳化硅混合模塊具有更高的功率密度、更低的開關損耗以及更快的工作頻率。

          應用領域:混合碳化硅功率模塊可應用于光伏發電、新能源汽車、軌道交通、不間斷電源、智能電網等。

          下載規格書

        地址:北京經濟技術開發區通惠干渠路17號院
        郵編:100176
        電話:010-56993369
        郵箱:sales@cengol.com

        版權所有:©2019 世紀金光 ALL RIGHTS RESERVED 京ICP備2021006800號-1
        五月天综合网_免费能直接能看黄的网站_奇米97_mm131午夜视频

        <ruby id="xvqyo"><address id="xvqyo"></address></ruby>

        <dd id="xvqyo"><pre id="xvqyo"></pre></dd>

          1. <button id="xvqyo"></button><th id="xvqyo"><track id="xvqyo"></track></th>