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        SiC SBD CGK1S12020

        電壓1200V,電流20A,TO-247-2封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

        SiC SBD CGC1S12020

        電壓1200V,電流20A,TO-220封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

        SiC SBD CGE1S12040

        電壓1200V,電流40A,TO-247-3封裝,0反向回復特性,高頻、高可靠性。

        SiC MOSFET CGE1M120030

        電壓1200V,導通電阻30mΩ,TO-247封裝,頻率高、開關損耗低等優點。

        SiC MOSFET CGE1M120060

        電壓1200V,導通電阻60mΩ,TO-247封裝,頻率高、開關損耗低等優點。

        混合碳化硅功率模塊 HHF300R12LE4N

        電壓1200V,電流300A,具有開關損耗低的優點。

        混合碳化硅功率模塊 HHF450R12LE4N

        電壓1200V,電流450A,具有開關損耗低的優點。

        混合碳化硅功率模塊 HHF600R12LE4N

        電壓1200V,電流600A,具有開關損耗低的優點。

        全碳化硅功率模塊 CHF300R12KC3

        電壓1200V,電流300A,K型封裝,具有大功率、高頻率、高可靠性等優點。

        全碳化硅功率模塊 CHF300R12LC3

        電壓1200V,電流300A,具有大功率、高頻率、高可靠性等優點。

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